目标选择了清华,唐传祥

荆州市最具有影响力的人是谁？

将星闪耀，从荆州辖区走出了上将贺炳炎、中将王尚荣、黄新延、成钧、顿星云、杨秀山等19位开国将军，他们都是有影响力的人。今天介绍几位1988年以后授衔的湖北荆州籍解放军高级将领，他们是：△袁誉柏，湖北公安人，1956年5月生，#1976年2月参加中国人民解放军，在职研究生学历。历任海军北海舰队副司令员、济南军区副司令员兼海军北海舰队司令员、北部战区副司令员兼北部战区海军司令员。

现任第十九届中央委员，中国人民解放军南部战区司令员。2019年07月晋升海军上将军衔。△秦生祥，湖北监利人。1957年2月出生，中央党校研究生学历，上将军衔。曾任原总政治部组织部副部长、部长、中央军委办公厅主任。现任中国共产党第十九届中央委员会委员，中国人民解放军海军政委。2019年7月31日授予上将军衔。

中芯国际花77亿买光刻机到底值不值？

中芯由于被美国限制，这77亿人民币买的是DUV深紫外光源光刻机，其在牺牲一定效率和产品良率的基础上，最高能做7nm芯片。DUV光刻机大约5.8亿人民币一台，77亿人民币大约可以买13台DUV光刻机。这13台DUV光刻机折合产能大约是3.7万片12寸晶圆/月，以中芯2020年产能约18.5万12寸晶圆/月来说，这13台DUV能增加20%的产能了，不算少，但面对芯片产业目前的困境，这个增量还是不够的，为直观一点，我们拿台积电比较一下：以产值对比：2020年台积电产值约2924亿人民币，中芯产值约251亿人民币，按产值计算中芯大约是台积电规模的11.6倍以产能对比：2020年台积电产能为113.2万12寸晶圆/月。

中芯产能约18.5万12寸晶圆/月。台积电产能是中芯的6.11倍。我们有台积电的产能做个简单推算，看看台积电的设备总值有多少：按每台DUV光刻机月处理2850片12寸晶圆计算（113.2/0.285=397），可换算出台积电相当于有397台DUV光刻机，按当前DUV价格计算这批光刻机价值5.8*397=2302.6亿人民币。

而光刻机占晶圆制造设备的比例大约23%（2302.6/0.23=10011.3），台积电多年累积下来的设备大约值10011.3亿元人民币。也就是说我们要弄一个台积电产能，要投资1万亿人民币，这还不是全部。我们看到的是冒出水面，净利润超过40%的台积电，在水面之下是有力支撑其形成巨大优势的庞大在地供应链，它们互相支撑，良性循环，很多配套厂有特殊设备材料特供台积电，也有很多质高价廉的设备材料商替代了西方产品，帮助台积电大幅度压缩成本，建立竞争优势。

相比之下，国内芯片制造厂的国产配套企业由于市占非常低，规模和实力都不大，双方的互相支撑力度不够。同时芯片设备材料涉及的精密仪器繁多而复杂，而国内的精密仪器设备制造积累不够，发展比较吃力，这是个难题。这样看起来要撑起像台积电这样的摊子，需要非常大的投资及和一定的时间积累，难度不小，但以目前的情况，芯片产业是美国手中的一个开关，再难我们还是咬牙投入下去，做一定的国产化。

芯片国产化目前做得怎么样。在此引用宁南山的数据，2020年中国市场消耗芯片1434亿美元，其中60%芯片（860亿美元）组装成品后出口，40%（574亿美元）内销。本土芯片公司产值227亿美元。国产的市场空间不小。ASML的光刻机不是买到了就高枕无忧。芯片厂是24小时生产，人停机不停，这种高强度使用下DUV光刻机的重要配件，深紫外光源会不会衰减从而需要定期更换，如果要更换，美国CYMER深紫外光源3000万人民币一个。

24小时高强度使用下，物镜系统的透镜镀膜会不会损伤或剥落，从而需要定期更换，这个是德国蔡司的产品，也不便宜。还有其他损耗件存在，这些都不是操之在我，保险起见，必须要发展国产光刻机。国产光刻机现状：对应ASML的DUV光刻机的，是02专项中的193nm浸没式光刻机，由上海微电子负责组装。02专项实施时间是2016年---2020年。

项目具体要求是：1）攻克14m刻蚀设备、薄膜设备、掺杂设备等高端制适装备及零部件；2）突破193nm浸没式光刻机及核心部件 3）研发14m逻辑与存储芯片成套工艺及相应系统封测技术；总体要求形成14nm-28nm-装备、材料、工艺、封测等较完整的产业链。目前看来，除了193nm浸没式光刻机超时并还在收尾，其他都基本完成了。

02专项的193nm浸没式光刻机，研发难点在光源和物镜。以此对应的配套项目是负责物镜的北京国望光学和负责光源的科益虹源。这其中又以物镜最难，它不是制式产品，依赖经验打磨调试。而这正是德国日本的特长，目前最好的光刻机和单反相机用的都是德国日本镜片，打磨调试复试镜片需要多年技术经验积累，中国要短时间赶上，需要做很大的努力。

这次02专项193nm光源DUV光刻机物镜拖在最后。EUV国产光刻机难点。做7nm以下芯片，需要用到EUV光刻机，国产EUV光刻机的难点估计还是物镜最难：EUV所用的极紫外光能被空气、玻璃吸收，只能用反射镜代替透镜，并将工作环境抽成真空。而普通反射镜镜面反射率不够，必须采用硅钼镀膜的复式镜面设计（布拉格反射器）将多层反射集中成单一反射，整个物镜系统需要整合调试十几面反射镜，同时镜面精度要达到皮米级(万亿分之一米)以上。

每次光反射会损失3成能量,这样在经过十几面反射镜后只有不到2%的光线能到达晶圆。要降低难度有几个办法：一个是想办法提高光的反射率。1）设计更精妙的反射系统减少所需反射镜数量以此减少反射能量损失。 2）反射镜的精度在皮米级(万亿分之一米)基础上继续提高，这需要更高的磨镜片手艺，难度太大。另一个是从光源入手，如果物镜系统难以突破，可以加强光源来减轻物镜系统的涉及难度和镜片的加工精度要求：1）提高光源功率 2）更换更好的光源，比如清华大学唐传祥团队研究的SSMB光源就有替代EUV光刻机的极紫外光源的潜力。

条友们，一级建造师市政袁登祥讲的怎么样？

你好，我来回答你的问题。备考二级建造师市政专业我用了两年才通过，备考一级建造师市政专业我又用了两年，2019年才通过。公共课基本上都是高分过的。但是市政实务课，我也真的下上了功夫。所以，比较有名一点儿的市政实务课的老师的精讲视频，基本上都或多或少的看过。袁登祥老师性格我是比较喜欢的，但是，请恕我直言，他的一级建造师课程，我个人认为，可以试听一下，看看适不适合你，我个人可能认为有些不能适用。

袁登祥老师仗义敢言，他正义的性格让我选择了他的课程。在2018年初，我开始了我的一级建造师市政专业的备考。我第一个听的课程，就是袁登祥老师的课。之所以选择他的课，因为袁老师在2017年关于一级建造师市政专业的押题一封信。2017年网络上流传的押题，确实压中了很多知识点，让一些并不认真备考的同学走了捷径。

袁登祥老师为辛苦备考一建市政的同学鸣不平，让我看到了他的正义的一面，对他人品我非常钦佩。所以选择了看他的课程。但是事实上，我看了一段儿时间，感觉本人并不适合他的授课方式。虽然钦佩他的为人，也不得不更换了老师。于是我换成了曹明明老师的精讲课程。我比较适应曹明明老师课程，尽管后期发现曹明明老师的课对于案例题非常有帮助，但想要在选择题上拿高分儿还是不够的。

我又找到了另一位叫做李四德的年轻老师。他讲的课是成系统的比较细，比较浅，对于选择题得高分儿给了我很大的帮助。2018年和2019年，我选择题部分的分数一年是34分，一年是37分，都得益于李四德老师的课程。袁登祥老师的课程设计的观感非常好。袁登祥老师的课程其实设计的还是不错的。无论是配图还是精讲视频中的文字PPT，都非常的有视觉冲击力。

观看时的舒适度非常强。色彩明快，对比性比较高。并且袁登祥老师普通话也很标准。所以，课程虽然不太适合我学习。这里还是要推荐一下他的课程。有兴趣的朋友可以去看一下。也许他的讲课方法非常适合你。尤其二级建造师的考试，案例题的考试深度没有一级建造师那么深，感觉袁老师的课程更合适。一级建造师市政专业，我推荐的几位老师这位提问的条友，可能也要备考一级建造师市政专业，咱们暂且不论袁登祥老师的课程好与坏，本着希望你一年能够通过一建市政考试的目的，给你推荐以下几位老师:1.建立知识体系，攻克选择题，推荐李四德。

我强烈推荐李四德老师。他讲的课真的可以说没有什么漏洞。而且配图和一些知识框架结构图做的都比较好。适合在第一遍尽量课的时候学习。认真听他的课，并且掌握以后。我认为选择题部分是能拿够32分儿以上呢。2.案例题，我推荐曹明明老师。我听曹明明老师的课的时候，常常被他逗笑。因为他在讲课的时候时不时的会停下来坏笑。

吐槽一下教材的编制，甚至会刺激一些学习中用错误方法的好友。曹明明老师的课件讲的也算比较细的。但是多少还是有侧重点，一些细节没有讲到。所以单独听他的课选择题是拿不到高分的。但是他对案例题考点的把握还有一些知识的延伸。对于回答案例题是非常有用的。还会教你一些如何踩到案例题得分点的方法，是非常实用和有效的。

3.王梅老师冲刺的时候可以听一下她的课其实她的课很少有人会提及或者推荐。我却认为她的课也对教材的把握非常的好。只是她的课大部分都是以面授的形式录制的。整体来说王梅老师的课程的总的时间会比较短。单个视频的时间会比较长。当我们的冲刺的时候时间比较紧。听听她的课能把整个书的重点快速的过一遍。王梅老师的语言比较犀利和精炼，与陈明老师形成了鲜明的对比。

重磅进展！清华自主光刻机有望解决卡脖子核心难题，谁最受益？

首先，澄清一点，清华并没有自主研发光刻机。只是报告了一种新型粒子加速器光源 “稳态微聚束”（SSMB）的首个原理验证实验。清华物理学教授唐传祥表示，基于SSMB的EUV光源有望解决自主研发光刻机中最核心的卡脖子难题。其次，SSMB技术适用于EUV光刻机的光源系统，这就为国产EUV光刻机需要的光源提供了技术支撑。

最后，回到题主的问题，最受益的自然是研发光刻机的单位。下面详细了解一下。1、SSMB原理是什么？根据清华大学工程物理系唐传祥研究组与合作团队在《自然》上发表的研究论文《稳态微聚束原理的实验演示》中可以看到。SSMB工作原理就是利用一定波长的激光操控位于储存环MLS内的电子束，使电子束绕环一整圈后形成精细的微结构，也即微聚束。

然后，微聚束在激光波长及其高次谐波上辐射出高强度的窄带宽相干光。原理听起来很简单，但过程却不简单。首先需要将电子束送入一个环形加速器。而电子在这个环形加速器中运行时，加速器的磁场会让电子在改变运动方向的同时，释放同步辐射。而这个辐射会因为衰减而产生辐射阻尼。辐射阻尼会使电子振幅越来越小，这就让电子束流的尺寸也变得原来越小。

这个缩小的电子束流就是微聚束。微聚束的波长在激光波长范围时，就会辐射出高强度的窄带宽相关光。2、SSMB能为EUV光刻机做什么？在芯片制造领域，大家都知道光刻机是不可缺少的高精密核心装备，芯片的制程工艺和光刻机的曝光分辨率有很大关系，而光刻机的曝光分辨率又和光源的波长息息相关。50多年来，光刻机企业都在不断缩小光刻机光源的波长，现在ASML最先进的EUV光刻机采用的是13.5nm的极紫外光。

它采用的是高能脉冲激光轰击液态锡靶，形成等离子体然后产生波长13.5纳米的EUV光源，功率约250瓦。众所周知，5nm及以下的芯片必须要极紫外光的EUV光刻机才能完成。现在唐传祥研究组研发的SSMB技术，可以通过稳态微聚束的电子流可以激发窄带宽相关光。这个光源的波长可覆盖从太赫兹到极紫外EUV波段。也就是说，它有可能成为EUV光刻机光源的新技术。

同时，基于SSMB技术的光源，拥有高功率、高 重频、窄带宽的特点。而这些特点也正是EUV光刻机希望提升的地方。EUV光刻机光源的功率越高，芯片刻录速度就越快。光源波长越短，芯片工艺的纳米数可以做到越小。所以，SSMB可以为国产EUV光刻机垫定技术基础，为解决卡脖子问题又迈进了一步。但要真正获得成功，还需要上下游产业链的配合。

3、受益单位既然SSMB的技术原理主要利好光刻机的光源，受益单位自然也就这些生产光刻机的企业。以下这些企业都是中国生产光刻机相关的企业。英唐智控：公司2012年收购深圳青岛光电有限公司100%股权，2020年度完成了对日本先锋微技术100%股权的收购事项，先锋微技术自有的生产设备中包含有日本产的光刻机设备，主要用于模拟芯片的制造。

奥普光电：公司产品可以用于光刻机的光学系统中，公司是长春光机所控股下的唯一上市公司平台，90nm光刻机曝光系统是长春光机所联合其他单位在国家专项资金的支持下开展的研发项目。苏大维格：自主研发制造的激光直写光刻设备。张江高科：参股公司上海微电子是国内光刻机研发制造领先企业。上海微电子装备有限公司：主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务。

如果中国真的弯道超车完全独立生产最前沿的芯片，世界会有什么变化？

世界的变化是巨大的，尤其是在中国，但是变化永远不会是完美的！首先，我们生产出最前沿的芯片，那么芯片也会变成“白菜价”中国芯片设计公司兆易创新宣布180亿造内存，美国金士顿就宣布 8GB存储芯片降价，产品降价幅度从几十元到上百元不等。钻石恒久远，一颗永流传！这是对钻石最高的评价。中国科学院碳素材料实验室通过不断的创新研究，攻克了大钻石技术。

全球最大钻石制造商戴比尔斯就宣布原钻价格下调约5%。上海微电子最近就制造出来了28nm（纳米）浸润式的光刻机，国内的光刻技术刚刚有所突破，荷兰ASML想降价向中国出售光刻机。所以一旦中国弯道超车生产出最前沿的芯片，那么高通骁龙、苹果A系列芯片也会宣布降价，届时芯片价格会变得很低。其次，芯片制造的产业链会向中国转移高端芯片制造一直掌握在台积电、三星电子、英特尔手中，台积电：2020年二季度全球晶圆厂份额 台积电占比超51％，5nm制程，制造工艺和良品率均为世界第一；三星电子：三星电子，市场份额18.8%，5nm、7nm制程，但良品率低于台积电，漏电率高于台积电；Intel：PC芯片霸主，10nm制程，IDM公司，及设计、制造一体；如果我们突破芯片制造的瓶颈，那么台积电、三星电子、Intel的市场份额必然会下降，整个产业链也会转移到内地，届时中国会形成从芯片设计到生产制造再到封装测试的全新产业链。

世界科技竞争格局彻底改变芯片设计必须要用到专业的EDA软件，光刻机需要顶级的光源（极紫外光系统）、高精度的镜头（物镜系统）、精密仪器制造技术，芯片制作需要硅提纯技术，光刻胶等化学材料，芯片是在电子学中是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。广泛应用于计算机、手机、通讯设备、智能汽车等。

光刻机：光刻机又名曝光机，是生产大规模集成电路的关键设备，制造和维护需要高度的光学和精密制造技术。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大，全世界只有少数几家公司能制造。完全独立生产最前沿的芯片，就意味着从芯片设计软件，极紫外光系统，高精度镜头，化学材料等方面全面地突破了，同时也意味着，科技水平达到了全新的高度。

那么美国再无法对我们实施科技封锁，而其盟友也会选择与我们合作，我们有了更大的话语权和主动权，科技竞争格局彻底改变。那么我们如何弯道超车呢？1、碳基芯片2017年北京大学电子系教授兼中科院院士彭练矛团队成了碳纳米管，首次在实验上显示出碳纳米管器件和集成电路较传统技术的性能优势，2020年5月碳基芯片研究工作取得重大进展，并在国际顶级科学期刊《科学》上发表了成果。

碳纳米管，综合性能可以达到10倍领先于同时期的硅基晶体管；工作速度3倍于硅材料晶体管，能耗只有硅晶体管四分之一。碳纳米管的成本低、而且尺寸小、强度高于钢铁，并具有弹性和柔性、可以做折叠芯片，也可以制作透明芯片。碳基芯片也有他的不足之处：首先制作工艺落后硅基芯片，制程上远不如硅基芯片，制作工艺难度更大，碳纳米管需要提纯到99.9999%才可以制作芯片，而目前试剂公司只能提纯到99.99%。

尽管碳碳基基芯片仍然是实验室的产品，但我国碳基芯片的科研技术已经走在了世界前列。2、中芯国际2000年中芯国际成立，是中国大陆技术最先进、规模最大、配套最完善的芯片代工企业。主要为客户提供0.35微米至14nm的集成电路代工服务。7月16日，登陆科创板，募集资金525亿，用于研发14nm以下工艺制程的芯片。

中芯国际是我国芯片制造龙头企业，对我国整个芯片产业链都非常重要，上游设计、中游生产、下游应用。生产环节如果出现问题，就像被卡住脖子一样，无法呼吸，上下无法衔接，整个产业链受到严重制约。中芯国际目前工艺水平在14nm左右，工艺制程落后台积电2-3代，如果中芯国际能够突破5nm工艺，那么中国芯片就会走在世界前沿。

3、光刻机目前我国光刻机水平在90nm制程，而世界最先进的ASML的EUV光刻机达到了5nm工艺制程。我国从2002年起开始研发光刻机，由科技部和上海市政府牵头，多家科技公司鼎立支持，共同组建了上海微电子公司，重点研发的是100nm步进式扫描投影光刻机而当时上海微电子提出“中国人也要做光刻机”时，外国专家眼中充满了不屑和蔑视，一名德国工程师甚至撂下一句狠话：“就是给你们全套图纸，你们也做不出来！”不屑和蔑视激发了上海微电子制作光刻机的决心，在夜以继日、攻坚克难，最终在规定时间内把第一台光刻机交付给了台湾客户，上海微电子获得了同行的尊重，“中国人也要做光刻机”的梦想实现了！目前上海微电子可量产的最先进设备仅处于90nm工艺制程，即使将于2021年能够交付28nm制程光刻机，也与荷兰企业阿斯麦（ASML）的5nm制程设备相差甚远，我们仍然有很长的路要走。

我们有能力制作光刻机，只是暂时落后世界顶级水平，相信在我们共同努力下，凭借中国人的智慧，定能制造出世界领先的光刻机。结语中国有能力制造出最前沿的芯片，不管是弯道超车还是直接超车，都能够做到。两弹一星、5G、量子通讯、北斗导航就是很好的例子。而美国在芯片领域的封杀和限制，反而更大程度地激励我们，我们反而更有机会弯道超车，美国对中国科技的封锁，会在将来的某一天明白，今天的做法其实是“搬石头砸自己的脚”。